不定記 [exa5] 

exa5 TOP

about/V's diary/Morige Diary/FAZ Column/BBS/InfiniTrain/Link/ant/?D

<< Tiny PC kit | main | STARBUCKS RTD >>

壁?

Samsungが唱えるデジタルペーパー=フラッシュ説が最近盛り上がっていますね。
iPod nanoと50nmプロセス版の試作から話が広がってるのでしょうか。
SAMSUNG Electronics Develops First 16-Gigabit NAND Memory Using 50-nm Technology for Sharp Jump in Mobile Storage Capacity
SAMSUNG Electronics at Center of Phenomenal “Flash Rush”

小型HDDを置き換えるというのはまあその通りだと思うので別にアレでも無いのですが、すべてを置き換えられるかというとそれはさすがに眉に唾をつけたくなるのは自分だけなのかといぶかしがってみたり。

フラッシュメモリにはもちろん微細化限界があります。それを超えていくのは多分ですが別の方式の不揮発性メモリではないかとおもうのですが。
ストレージシステムまで置き換えるつもりなんでしょうかSamsungは。ニアラインストレージまで置き換えるんだったらびっくりですが。さすがオフラインストレージまではカバーしないよね?

でも
元麻布春男の週刊PCホットライン■小型HDDを脅かすフラッシュメモリの大容量化
に紙まで置き換えるという一節があって、えー、と。

ホログラムディスクよりコストを下げられる自信でもあるのでしょうか。はて。

フラッシュメモリの微細化問題は、ロジックCMOSよりも早くトランジスタ構造のかなりの改変を必要とする(この前発表されたSamsungの50nm版は3Dトランジスタ、と書かれていましたがダイサイズの縮小を考えるとかなり構造全体に手を入れているはず。60→50nmに単純にシュリンクして25%は小さくできない)ことや、いまのままだとVDDの下限がかなり高めな点も一応触れておいたほうがいいんじゃないのかなぁ、と思うのでした。
たぶんダイサイズの縮小にはメモリブロックをかなり大型化してるのもあるのではないかと思いますが、どうなんでしょう。大メモリブロックはブロックごとに必要な周辺回路が減るためにダイサイズに結構響く(最大で10%以上変わるとか)らしいので。大メモリブロックは読み出し速度が向上するのですが、同じようにランダムアクセスなどにも影響します。MLCは長期的には電圧低減に影響しますし。
まあ最後には書き換え回数の限界が結構小さい数なのが問題になるのかなと思いますが。

いや1インチ以下のHDDは、MCPといったパッケージングやそもそもSiPやるなら半導体メモリじゃないと無理だしとかありますので、中期的にはフラッシュメモリに食われるのは当然だと思うのですが、フラッシュメモリだけ現在のペースを保てて、他は今のペースかそれ以下という比較の仕方は熱病に冒されたみたいに見えるもので。HDDはGMR→TMR→垂直磁気+GMR→垂直磁気+TMRまでは一応考慮すべきだと思うわけですし、光学ディスク系はせめてホログラムディスクまでは考えようよ、と。
(小型HDDの問題は回転部の小型化限界などによるプラッタの有効記録面の少なさなどいろいろあるわけで、向いていないんですよ、と言ってしまえばおしまいかと)

んー、まあ次世代不揮発メモリと言われ続けながらフラッシュメモリに置いてきぼりを食らわされ続け、未だに実用にならないMRAMとかも考えてあげよう。RRAMとかPFRAMとかいろいろあります。
MRAMとかが大きな期待を集めていた頃はフラッシュメモリの「死」なんて言われてましたねぇ。そのころは65nmを超えられないんじゃないかなんていう話もありましたが、結局セル構造に手を入れて超えましたというわけです。

…この道はいつか来た道?
Tech | comments (0) | trackbacks (262)

Comments

Comment Form

Trackbacks